兩種集成技術：SiP vs SoC 微系統技術中的系統級封裝( system in a package，SiP) 技術是解決導彈功能模塊分立，降低電子 器件體積和質量的重要途徑。括多塊功能芯片集成在一個封裝體內，從而實現一 個基本完整的功能的技術。

  對于不同器件的刻蝕要求，Bosch工藝的工藝參數也會不同，本文針對Bosch工藝中的一

硅電容器，簡稱Si-Cap，是指以硅材料為介電層，采用半導體制造工藝制作而成的電容器。電容器還包括陶瓷電容、鋁電解電容、鉭電容、薄膜電容等傳統品類，其中陶瓷電容是當下市場應用覆蓋最廣、成熟度最高的電容器，市場占比約59%，具有高頻率、低阻抗、高耐熱特性。相比之下，盡管硅電容擁有超小尺寸、超高頻率、高容量、可靠性和穩定性等特點，但技術壁壘極高，因此過去主要用于航空航天、軍工雷達等領域，民用市場占比不到1%。

1993年，Robert Bosch提出了一種ICP刻蝕工藝技術，被稱作“Bosch 工藝”。該刻蝕技術目前是被專利所保護的，一旦設備生產廠家想制造深硅刻蝕的設備，則需要對Robert Bosch GmbH 公司支付一次性的專利費，后續才可以永久使用該技術。

模擬集成電路中，各放大器支路均基于電流鏡框架，以保證穩定運行。電流鏡可理解為一系列具有電流比例關系的恒流源，而恒流源相較恒壓源具有串聯無衰減的特性。因此在一個恒流源支路中可串聯多個晶體管以實現功能，如利用多個場效應晶體管疊加提高輸出電流和擺幅等。模擬集成電路中常常有不止一級放大電路，各級放大器在電流鏡的支持下處于工作點并不受輸入信號電壓的影響。

CMOS邏輯電路的設計要經過邏輯設計、電路設計、和版圖設計的過程。通常首先進行邏輯設計以得到需要的邏輯。在CMOS電路中，一個邏輯通常由PMOS和NMOS組合實現，因為PMOS/NMOS對只在電平轉換的瞬間有電流消耗，這對于大規模集成電路的功耗是大有幫助的

單個憶阻器可表現出阻值隨著通過電荷數量而變化的特性，而此特性與真實神經系統中的突觸原理類似。而且，當今的人工神經網絡也有基于數學模型y=x1*w1+x2*w2+…xn*wn的形式，而電流電壓的關系也存在電阻分壓表現為乘法而多路電流匯集體現加法。因此將多個憶阻器與一些控制元件可集成為一個模擬神經網絡存內計算單元。而且因為憶阻器與神經元中突觸的原理類似，基于生物神經元的電學特性也可設計全新的智能硬件。

人工智能與神經形態計算雖然同是源于腦神經的工作原理，但是從實現方式上卻是‘背道而馳’。人工智能是對于大腦的高層抽象，將大量神經元的系統抽象為線性的矩陣數學公式，此種方法更容易實現基本功能但是卻忽略了很多神經元的細節。神經形態計算的實現方式恰好相反，通過模擬單神經元中的‘突觸’、‘樹突’、‘軸突’等電位操作，以單神經元為基礎單位實現智能。